چكيده

مهمترين قسمت گيرنده نوري, بخش آشكارسازي اطلاعات است. بين انواع آشكارسازها, آشكارساز نوري بهمنيAPD به دليل داشتن بهره جريان از اهميت ويژه اي برخوردار است. در ساختارهاي SAM-APD براي آشكارسازي طول موج هاي بلند و كاهش جريان تونلي و ولتاژ باياس, نواحي جذب فوتون و تكثير حامل از هم جدا م يشوند. با توجه به سازوكارهاي پيچيده جذب فوتون و تكثير حامل بر اثر شكست بهمني, تحليل و پيش بيني رفتارAPD نسبتا مشكل است.

در اين مقاله با لحاظ كردن برخي فرضيات ساد ه كننده, بر اساس سازوكارهاي داخل افزاره معادلات نرخ حامل در نواحي مختلف آشكارساز را تعيين مي كنيم. با تبديل اين معادلات رياضي به روابط مداري متناظر آن, يك مدار معادل براي SAM-APD به دست مي آيد. با مدل ارايه شده, بهره, بازده كوانتومي و جريان تاريك افزاره بررسي شده, نتايج بدست آمده با داده هاي تجربي مقايسه مي شود.
مطابقت خوب اين مدل با داد ههاي تجربي نشان م يدهد كه اين مدل قادر است ب هازاي تغيير پارامترهايي مثل ولتاژ باياس, ابعاد نواحي, نوع
مواد بكاررفته و طول موج نور, رفتار آشكارساز را با تقريب قابل قبولي پيش بيني كند.