چكيده:

قدرت مدارهاي دومينوي با Fan-in بالا، به خاطر افزايش جريان نشتي با مقياس بندي فن آوري خراب مي شود . در اين مقاله، يك مدار دومينوي جديد براي كاربردهاي با تعدادFan-in و سرعت بالا در فناوري هاي  UDSM 1  ارائه مي شود.

مدار پيشنهادي، يك ترانزيستور پايه به كار مي گيرد كه در ابتداي فاز ارزيابي خاموش است و باعث كاهش نشتي مي شود .
و در ادامه، براي تكميل فاز ارزيابي، روشن مي شود . براي اجتناب از جريمه تاخير به واسطه استفاده از ترانزيستور خاموش درزمان هاي اوليه فاز ارزيابي، يك مسير اضافي براي ارزيابي ايجاد مي شود كه به وسيله خروجي كنترل مي شود . با توجه به شبيه سازي ها در فرايند پيش بيني شده70 نانومتر، مدار پيشنهادي، امنيت نويز را براي گيت هاي OR  پهن، تا 26 برابر افزايش مي دهد و همچنين باعث بهبود در اجراي 20 درصدي در مقايسه با مدارهاي دومينوي معمول مي شود .

مدارپيشنهادي، مبارزه بين ترانزيستور نگه دارنده و ترانزيستورهاي ارزيابي را در ابتداي فاز ارزيابي، كاهش مي دهد و اين امرباعث كاهش توان براي تكنيك پيشنهادي مي شود